IR2101 (S) /IR2102 (S) & (PbF)
500
400
500
400
300
300
Max .
200
100
0
Max .
Typ.
200
100
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 6A. Turn-On Time vs Temperature
500
400
300
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 6B. Turn-On Time vs Supply Voltage
5 00
4 00
3 00
200
100
2 00
1 00
M ax .
T yp .
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
0
-50
-25
0
25 50 75
1 00
1 25
Input Voltage (V)
Figure 6C. Turn-On Time vs Input Voltage
500
400
Temperature (°C)
Figure 7A. Turn-Off Time vs Temperature
500
400
300
200
100
0
Max.
Typ.
300
200
100
0
Max.
Typ .
10
12
14 16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 7B. Turn-Off Time vs Supply Voltage
www.irf.com
Input Voltage (V)
Figure 7C. Turn-Off Time vs Input Voltage
7
相关PDF资料
IR2103SPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
IR2104STRPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
IR2105STR IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
IR2106PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP
IR2108PBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
IR21091STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
IR2109STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
IR2110-2PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
相关代理商/技术参数
IR2101S 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2101SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2101SPBF-BL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IR2101STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2101STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2101STRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8
IR2101STRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:IR2101 Series 600 V 270 mA 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8
IR2102 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件